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    當(dāng)前位置:首頁(yè)產(chǎn)品中心變壓器測(cè)試儀系列SRBJ-JWSRBJ-JW變頻抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀

    SRBJ-JW變頻抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀

    產(chǎn)品簡(jiǎn)介

    SRBJ-JW變頻抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀是一種*測(cè)量介質(zhì)損耗(tgδ)和電容容量(Cx)的儀器,用于工頻高壓下,測(cè)量各種絕緣材料、絕緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設(shè)備的介質(zhì)損耗,(tgδ)和電容容量(Cx)它淘汰了 QS 高壓電橋,具有操作簡(jiǎn)單、中文顯示、打印、使用方便、無(wú)需換算、自帶高壓、抗干擾能力強(qiáng)、測(cè)試時(shí)間(在國(guó)內(nèi)同類產(chǎn)品中速度較快)等特點(diǎn)。體積小、重量輕是我公司的第二代抗

    產(chǎn)品型號(hào):SRBJ-JW
    更新時(shí)間:2025-03-18
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    訪問(wèn)量:1002
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    SRBJ-JW變頻抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀產(chǎn)品介紹

    SRBJ-JW變頻抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀是一種*測(cè)量介質(zhì)損耗(tgδ)和電容容量(Cx)的儀器,用于工頻高壓下,測(cè)量各種絕緣材料、絕緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設(shè)備的介質(zhì)損耗,(tgδ)和電容容量(Cx)它淘汰了 QS 高壓電橋,具有操作簡(jiǎn)單、中文顯示、打印、使用方便、無(wú)需換算、自帶高壓、抗干擾能力強(qiáng)、測(cè)試時(shí)間(在國(guó)內(nèi)同類產(chǎn)品中速度最快)等特點(diǎn)。體積小、重量輕是我公司的第二代抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀。

    產(chǎn)品別名

     

    變頻抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀又稱為:介損測(cè)試儀、介質(zhì)損耗測(cè)試儀、全自動(dòng)異頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀、全自動(dòng)抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀、全自動(dòng)介質(zhì)損耗測(cè)試儀

    產(chǎn)品特點(diǎn)

    1、儀器進(jìn)行故障分析。
    2、抗干擾能力強(qiáng),在500KV(甚至更高)電壓等級(jí)下的變電站的現(xiàn)場(chǎng)也能保持結(jié)果穩(wěn)定、可靠,不僅能單頻測(cè)試,也可實(shí)現(xiàn)45/55Hz雙頻測(cè)試。
    3、儀器的試驗(yàn)電壓實(shí)行“緩升緩降”,有效的防止“容升”效應(yīng),保護(hù)試品和儀器的安全。
    4、變頻抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀儀器實(shí)現(xiàn)過(guò)流過(guò)載的預(yù)前保護(hù),能迅速切斷試驗(yàn)電源,以保護(hù)試品和儀器的安全。
    5、儀器測(cè)試電纜采用硅橡膠以及其他特種絕緣材料復(fù)合制作而成,輕便柔軟,10KV電壓等級(jí)下可拖地使用。
    6、儀器附帶電子萬(wàn)年歷和大容量存儲(chǔ)空間,可記憶100組測(cè)試數(shù)據(jù)。
    7、儀器帶有標(biāo)準(zhǔn)的RS232接口,儀器內(nèi)大量測(cè)試數(shù)據(jù)可上傳給大型計(jì)算機(jī)使用。

    技術(shù)參數(shù)

    1、環(huán)境溫度:0 ~ 40℃(液晶屏應(yīng)避免長(zhǎng)時(shí)日照) 
    2、相對(duì)濕度:30% ~ 70% 
    3、供電電源:電壓:220V±10%、頻率:50±1Hz 
    4、外形尺寸:長(zhǎng)×寬×高 500mm×300mm×400mm 
    5、重量: 約18Kg 
    6、輸出功率:0.6KVA 
    7、顯示分辯率:3位、4位(內(nèi)部全是6位) 
    8、測(cè)量范圍及輸出電壓選擇: 
    介質(zhì)損耗(tgδ):±0.00~±999% 
    試品電容容量(Cx)和加載電壓: 
    2.5KV檔:≤300nF(300000pF) 3KV檔:≤200nF(200000pF) 
    5KV檔:≤76nF(76000pF) 7.5KV檔:≤34nF(34000pF) 
    10KV檔:≤20nF(20000pF) 
    9、基本測(cè)量誤差: 
    介質(zhì)損耗(tgδ):1%±7個(gè)字(加載電流20uA~500mA) 
    介質(zhì)損耗(tgδ):2%±9個(gè)字(加載電流5uA~20uA) 
    電容容量(Cx):1.5%±1.5pF

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